Toggle navigation
خانه
ثبت نام
ورود
دسته بندی ها
اخبار
پرداخت
ارتباط با ما
دانلود اپلیکیشن اندروید
Username
Username
منو سایت
علوم انسانی
1
حسابداری
8
روانشناسی
3
مدیریت
علوم تجربی
3
زیست شناسی
7
صنایع غذایی
1
شیمی، بیوشیمی و مهندسی شیمی
علوم ریاضی
4
فیزیک
2
ریاضی
آمار
هنر
مهندسی
1
سازه
7
برق و الکترونیک
10
کامپیوتر
3
کشاورزی و علوم دامی
1
صنایع
1
مکانیک
1
عمران و نقشه برداری
پروژه
1
الکترونیک
رباتیک
نتایج جستجو برای عبارت :
مشخص کردن دات های کوانتومی هسته – پوسته (Cd Se) ZnS در حفره لیزری ریز قطره ای
CHARACTERIZATION OF (CdSe)ZnS CORE-SHELL QUANTUM DOTS IN MICRODROP LASER CAVITY
نوع فایل : ترجمه
رفتار لیزر کنندگی محلول آبی دات های کوانتومی هسته – پوسته (CdSe) ZnS (QD) در یک حفره ریز قطره مایع کروی بررسی شده است. ما کسر حجمی کمینه QD لازم برای لیزری کردن را به مقدار 9.27x 10-6 ومقطع عرضی نشر QD ها به صورت 4.5x10-15 cm2 براورد کردیم. حفره مایع ریز قطره، با کمک رنگ ردامین Rh 6G) 6G) مشخص کردیم ودریافتیم که فاکتور Q حفره آن در رزونانس حالت گالری ویسپرینگ (WGM) باید 41.4x 10 باشد.
Lasing behavior of water soluble (CdSe)ZnS core-shell quantum dots (QD) has been investigated in a spherical liquid microdrop cavity. We have estimated the minimum volume fraction of QD necessary for lasing as 9.27 × 10 −6 and emission cross section of the QDs as 4.5 × 10 −15 cm2. The microdrop liquid cavity has been characterized with the help of rhodamine 6G (Rh6G) dye and we found its cavity Q factor in whispering gallery mode (WGM) resonance to be 1.4 × 104.
متناسب ساختن حرکت حامل نانورشته های نیمه رسانا با دی الکتریک های از راه دور
Tailoring the carrier mobility of semiconductor nanowires by remote dielectrics
نوع فایل : ترجمه
پیشرفت های چشمگیر در فناوری رشد کریستال، به تازگی ساخت انواعی از نانوساختارهای نیمه رسانا مستقل و ساده همچون دات های کوانتومی نانوکریستالی صفر-بعدی (0D)، نانورشته های 1D و نانولوله ها و نانواعضای 2Dرا ممکن ساخته است. ویژگی های انتقال بار در چنین نانوساختارهایی، به طور گسترده و وسیعی مورد بررسی قرار گرفته است، با این امید که آنها بتوانند در دستگاه های الکتریکی و نوری در آینده به کار گرفته شوند. این نانوساختارهای "پایین-بالا " از نانوساختارهای همبافته که از مهندسی شکاف باند ساختار ناهمگن در یک جنبه مهم ساخته شده و به ططور بسیار وسیعی مورد مطالعه قرار گرفته است، متفاوت است. محیط دی الکتریک نانوساختارهای همبافته به طور اساسی با ناحیه نیمه رسانایی (ثابت دی الکتریک ) که در آن الکترون ها و حفرات قرار می گیرند، یکسان است. بهرحال، برای نانوساختارهای پایین-بالا، محیط دی الکتریک می تواند پس از رشد، اصلاح شود. این ویژگی، ابزار نوینی را برای مهندسی اندرکنش های بین حامل ها و/یا ناخالصی ها به واسطه محیط دی الکتریک میانجی گری کند. اثر محیط دی الکتریک بر روی ویژگی های انتقال بار نانوساختارهای پایین-بالا توجه زیادی را در مقایسه با اثر آن بر روی ویژگی های نوری، به خود جلب نکرده است. کار اخیر، نشان داده است که در نانواعضای 2D، تحریک الکترون می تواند یک تا دو مرتبه بزرگی، از طریق پوشش دادن آنها با ماده با دی الکتریک κ-بالا افزایش پیدا کند. هدف این کار، بررسی اثر محیط دی الکتریک بر روی انتقال الکترون در نانورشته های نیمه رسانا است. NW های نیمه رسانا، در حال حاضر می توانند تا قطر چندین نانومتر رشد کنند، که کوچکتر از طول موج گرمایی بروگلی مربوط به حامل ها است، در حالیکه طول موج آنها می تواند از چندین میکرومتر تجاوز کند. در این مقیاس های طولی، کاهش دانسیته حالت ها، با توجه به محدودیت کوانتومی، انتظار می رود که پراش را سرکوب کرده و منجر به تحرک پذیری های حامل شود. آزمایشات اخیر، بهبود حرکت های حامل در ترانزیستورهای اثر-میدانی نانورشته Ge/Si پوشیده با دی الکتریک های (HfO2) Ϗ-بالا را نشان داده است.
Remarkable advances in crystal growth technology have recently enabled the fabrication of a variety of freestanding semiconductor nanostructures such as zero-dimensional 0D nanocrystal quantum dots, 1D nanowires NWs and nanotubes, and 2D nanomembranes. Charge transport properties in such nanostructures are being intensively investigated, in the hope that they might find usage in electronic and optical devices in the future. These “bottom-up” nanostructures differ from the more extensively studied epitaxial nanostructures created by heterostructure bandgap engineering in one crucial aspect. The dielectric environment of epitaxial nanostructures is essentially the same as the semiconducting region dielectric constant s where electrons and holes reside. However, for bottom-up nanostructures, the dielectric environment e can be modified after growth. This feature offers a novel tool to engineer interactions between carriers and/or impurities mediated by the dielectric surrounding. The effect of the dielectric environment on charge transport properties of bottom-up nanostructures has not received much attention as compared to its effect on optical properties.1 Recent work2 has shown that in 2D nanomembranes the electron mobility can be increased by one to two orders of magnitude by coating them with a high- dielectric material. The purpose of this work is to investigate the effect of the dielectric environment on electron transport in semiconductor nanowires. Semiconductor NWs can now be grown with diameters of a few nanometers, which is smaller than the thermal de Broglie wavelength of the carriers, while their lengths can exceed a few micrometers. At these length scales, the reduced density of states due to quantum confinement is expected to suppress scattering and lead to high carrier mobilities.3 Recent experiments4 have demonstrated improved carrier mobilities in Ge/Si nanowire field-effect transistors coated with high- HfO2 dielectrics.
تابع دی الکتریک برای سیستم نیمه رسانای شبه دو بعدی
Dielectric function for a quasitwodimensional semiconducting system
نوع فایل : ترجمه
ما محاسبه تابع دی الکتریک برای گاز الکترونی شبه-دو-بعدی (Q2D) را ارائه می کنیم و نتایج خود را با نتایج بدست آمده برای گازهای الکترونی (2D) و سه بعدی (3D) مقایسه می کنیم. ما نتایج خود را با نتایج بدست آمده با استفاده از تقریب توماس-فرمی، مقایسه می کنیم. ما دریافتیم برای سیستم Q2D با لایه فعال به ضخامت 100 آنگستروم، استفاده از تقریب های دو بعدی و توماس-فرمی تابع دی الکتریک و مقدار غربالگری به جز برای اغشتاشات کوچک بردار موج، را در مقدار بالایی برآورد می کند. همچنین ما روش خود را با روش استرن و هوارد مقایسه کردیم و دریافتیم که اگر تقریب توماس-فرمی به کار گرفته شود، با روش ما مطابقت دارد. هنگامی که ما نتایج خود را در مسئله همحاسبهمیزان آسایس مومنتوم از پتانسیل کولمبی غربالگری شده با توجه به پراش ناخالصی های یونیزه، به کار گرفتیم، دریافتیم که روش ما منجر به نرخ پراش بزرگتری نسبت به نرخ متناظر در تقریب توماس-فرمی می شود که به خاطر تخمین بالای اثر غربالگری است.
kjf
غربالگری کوانتومی به واسطه محیط-دی الکتریک گاز الکترونی دو-بعدی
Dielectric-environment mediated quantum screening of two-dimensional electron gas
نوع فایل : ترجمه
غربالگری الکترونیک، یک پدیده چند جسمی است که به طور قوی به اندرکنش الکترون-الکترون در یک گاز الکترونی بستگی دارد. در اینجا، با نادیده گرفتن فرض "پس زمینه نامتناهی و همگن"، ما نشان می دهیم که محیط دی الکتریکی که گاز الکترونی را احاطه کرده است، اندرکنش الکترون-الکترون را تغییر داده، منجر به نرمالیزاسیون مجدد اساسی پاسخ ایستا و دینامیک گاز الکترونی می شود. نرمالیزاسیون مجدد تابع غربالگری ایستا بر مبنای محیط دی الکتریک بر حرکت قابل اندازه گیری تجربی اثر می گذارد، همانطور که برای لایه وارونگی-Si جهت نمایش موضوع، نشان داده شده است. نتایج تحلیلی هستند و می توانند برای پیش بینی دقیق مقدار انتقال هر سیستم گاز دو بعدی با محیط دی الکتریک ناهمگن استفاده شوند.
Electronic screening is a many-body phenomenon that strongly depends on the electron-electron interaction in an electron gas. Here, relaxing the assumption of “infinite and homogeneous background,” we show that the dielectric environment surrounding the electron gas alters the electron-electron interaction leading to substantial re-normalization of static and dynamic response of the electron gas. The re-normalization of static screening function by dielectric environment impacts experimentally measurable mobility as shown for Si-inversion layer for illustration. Results are analytical and can be used for accurate prediction of transport quantity for any two dimensional gas system with inhomogeneous dielectric environment.
×
نوع فایل :
سال نشر :
تعداد صفحات فارسی :
تعداد صفحات لاتین
نویسندگان :
فرمت فایل :
pdf
word
pptx
نام کاربری
|
خروج
طراحی شده توسط تیم برنامه نویسی
خط آبی
آمار
×
ورود به ناحیه کاربری
×
تغییر کلمه عبور
×
ثبت نام / عضویت
×
ارتباط با ما