نتایج جستجو برای عبارت :
نوع فایل : ترجمه
رفتار لیزر کنندگی محلول آبی دات های کوانتومی هسته – پوسته (CdSe) ZnS (QD) در یک حفره ریز قطره مایع کروی بررسی شده است. ما کسر حجمی کمینه QD لازم برای لیزری کردن را به مقدار 9.27x 10-6 ومقطع عرضی نشر QD ها به صورت 4.5x10-15 cm2 براورد کردیم. حفره مایع ریز قطره، با کمک رنگ ردامین Rh 6G) 6G) مشخص کردیم ودریافتیم که فاکتور Q حفره آن در رزونانس حالت گالری ویسپرینگ (WGM) باید 41.4x 10 باشد.
نوع فایل : ترجمه
پیشرفت های چشمگیر در فناوری رشد کریستال، به تازگی ساخت انواعی از نانوساختارهای نیمه رسانا مستقل و ساده همچون دات های کوانتومی نانوکریستالی صفر-بعدی (0D)، نانورشته های 1D و نانولوله ها و نانواعضای 2Dرا ممکن ساخته است. ویژگی های انتقال بار در چنین نانوساختارهایی، به طور گسترده و وسیعی مورد بررسی قرار گرفته است، با این امید که آنها بتوانند در دستگاه های الکتریکی و نوری در آینده به کار گرفته شوند. این نانوساختارهای "پایین-بالا " از نانوساختارهای همبافته که از مهندسی شکاف باند ساختار ناهمگن در یک جنبه مهم ساخته شده و به ططور بسیار وسیعی مورد مطالعه قرار گرفته است، متفاوت است. محیط دی الکتریک نانوساختارهای همبافته به طور اساسی با ناحیه نیمه رسانایی (ثابت دی الکتریک ) که در آن الکترون ها و حفرات قرار می گیرند، یکسان است. بهرحال، برای نانوساختارهای پایین-بالا، محیط دی الکتریک می تواند پس از رشد، اصلاح شود. این ویژگی، ابزار نوینی را برای مهندسی اندرکنش های بین حامل ها و/یا ناخالصی ها به واسطه محیط دی الکتریک میانجی گری کند. اثر محیط دی الکتریک بر روی ویژگی های انتقال بار نانوساختارهای پایین-بالا توجه زیادی را در مقایسه با اثر آن بر روی ویژگی های نوری، به خود جلب نکرده است. کار اخیر، نشان داده است که در نانواعضای 2D، تحریک الکترون می تواند یک تا دو مرتبه بزرگی، از طریق پوشش دادن آنها با ماده با دی الکتریک κ-بالا افزایش پیدا کند. هدف این کار، بررسی اثر محیط دی الکتریک بر روی انتقال الکترون در نانورشته های نیمه رسانا است. NW های نیمه رسانا، در حال حاضر می توانند تا قطر چندین نانومتر رشد کنند، که کوچکتر از طول موج گرمایی بروگلی مربوط به حامل ها است، در حالیکه طول موج آنها می تواند از چندین میکرومتر تجاوز کند. در این مقیاس های طولی، کاهش دانسیته حالت ها، با توجه به محدودیت کوانتومی، انتظار می رود که پراش را سرکوب کرده و منجر به تحرک پذیری های حامل شود. آزمایشات اخیر، بهبود حرکت های حامل در ترانزیستورهای اثر-میدانی نانورشته Ge/Si پوشیده با دی الکتریک های (HfO2) Ϗ-بالا را نشان داده است.
نوع فایل : ترجمه
ما محاسبه تابع دی الکتریک برای گاز الکترونی شبه-دو-بعدی (Q2D) را ارائه می کنیم و نتایج خود را با نتایج بدست آمده برای گازهای الکترونی (2D) و سه بعدی (3D) مقایسه می کنیم. ما نتایج خود را با نتایج بدست آمده با استفاده از تقریب توماس-فرمی، مقایسه می کنیم. ما دریافتیم برای سیستم Q2D با لایه فعال به ضخامت 100 آنگستروم، استفاده از تقریب های دو بعدی و توماس-فرمی تابع دی الکتریک و مقدار غربالگری به جز برای اغشتاشات کوچک بردار موج، را در مقدار بالایی برآورد می کند. همچنین ما روش خود را با روش استرن و هوارد مقایسه کردیم و دریافتیم که اگر تقریب توماس-فرمی به کار گرفته شود، با روش ما مطابقت دارد. هنگامی که ما نتایج خود را در مسئله همحاسبهمیزان آسایس مومنتوم از پتانسیل کولمبی غربالگری شده با توجه به پراش ناخالصی های یونیزه، به کار گرفتیم، دریافتیم که روش ما منجر به نرخ پراش بزرگتری نسبت به نرخ متناظر در تقریب توماس-فرمی می شود که به خاطر تخمین بالای اثر غربالگری است.
نوع فایل : ترجمه
غربالگری الکترونیک، یک پدیده چند جسمی است که به طور قوی به اندرکنش الکترون-الکترون در یک گاز الکترونی بستگی دارد. در اینجا، با نادیده گرفتن فرض "پس زمینه نامتناهی و همگن"، ما نشان می دهیم که محیط دی الکتریکی که گاز الکترونی را احاطه کرده است، اندرکنش الکترون-الکترون را تغییر داده، منجر به نرمالیزاسیون مجدد اساسی پاسخ ایستا و دینامیک گاز الکترونی می شود. نرمالیزاسیون مجدد تابع غربالگری ایستا بر مبنای محیط دی الکتریک بر حرکت قابل اندازه گیری تجربی اثر می گذارد، همانطور که برای لایه وارونگی-Si جهت نمایش موضوع، نشان داده شده است. نتایج تحلیلی هستند و می توانند برای پیش بینی دقیق مقدار انتقال هر سیستم گاز دو بعدی با محیط دی الکتریک ناهمگن استفاده شوند.